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LMH6626	文件：1.89424 Mbytes Page：38 Pages	LMH6624andLMH6626Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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LMH6626MA	文件：1.34779 Mbytes Page：19 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
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LMH6626MAX	文件：985.74 Kbytes Page：20 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
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LMH6626MM	文件：985.74 Kbytes Page：20 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6626MM	文件：1.34779 Mbytes Page：19 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6626MM	文件：1.60863 Mbytes Page：31 Pages	LMH6624/LMH6626Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
LMH6626MM/NOPB	文件：1.89424 Mbytes Page：38 Pages	LMH6624andLMH6626Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LMH6626MMX	文件：1.34779 Mbytes Page：19 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6626MMX	文件：985.74 Kbytes Page：20 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6626MMX/NOPB	文件：1.89424 Mbytes Page：38 Pages	LMH6624andLMH6626Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
MAX6626	文件：1.4588 Mbytes Page：13 Pages	9-Bit/12-BitTemperatureSensorswithI2C-CompatibleSerialInterfaceinaSOT23	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
MAX6626PMUT-T	文件：1.4588 Mbytes Page：13 Pages	9-Bit/12-BitTemperatureSensorswithI2C-CompatibleSerialInterfaceinaSOT23	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
MAX6626RMUT-T	文件：1.4588 Mbytes Page：13 Pages	9-Bit/12-BitTemperatureSensorswithI2C-CompatibleSerialInterfaceinaSOT23	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
MCH6626	文件：111.62 Kbytes Page：6 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?TheMCH6626incorporatesanN-channelMOSFETandaP-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandhigh-speedswitching,therebyenablinghigh-densitymounting. ?ExcellentON-resistancecharacteristic. ?2.5Vdrive.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
IRF6626TRPBF
功能描述：
MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	IRF6626TRPBF	IR	24+	DirectFETtradeIso	7500		詢價
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