首頁>IRF442>規(guī)格書詳情

IRF442中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF442
廠商型號

IRF442

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

211.25 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-29 23:03:00

IRF442規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Boston) at high voltage

? Improved Inductive ruggedness

? Excellent high voltage stability

? Fast switching times

? Rugged polyslllcon gate cell structure

? Low Input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

? TO-3 package (High voltage)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF442

  • 制造商:

    Harris Corporation

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INTERSIL
24+
35200
一級代理/放心采購
詢價
HARRIS(哈利斯)
23+
TO3
6000
誠信服務(wù),絕對原裝原盤
詢價
IR
23+
TO-3
28000
原裝正品
詢價
IR
22+
SOP-8
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢價
IR
24+
TO-3
10000
詢價
UNMARKED
25
全新原裝 貨期兩周
詢價
21+
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
詢價
IR
23+
TO-3
7000
詢價
IR
23+
TO-3
8000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價
IR
23+
TO-3
8000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價