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IRFR/U1010Z	文件：4.28522 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1010Z	文件：292.8 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1010Z	文件：4.28522 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1010Z	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR1010ZPBF	文件：354.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1010ZPBF	文件：4.35518 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1010ZTRL	文件：4.51535 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF1010NLPBF
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
RoHS：
是
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	IRF1010NLPBF	IR	24+	TO-262-3	185		詢(xún)價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF1010NLPBF	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRF1010NLPBF	IR	23+	TO-262-3	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRF1010NLPBF	INFINEON	1503+	TO-262	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢(xún)價(jià)
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRF1010NLPBF	IR	23+	TO-262	43000	原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢(xún)價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF1010NLPBF	Infineon Technologies	23+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
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