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IPX80R1K4CE

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA80R1K4CE

Highpeakcurrentcapability

Features ?Highvoltagetechnology ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Lowgatecharge ?Loweffectivecapacitances ?Pb-freeplating,RoHSCompliant,Halogenfreemoldcompound ?Qualifiedforconsumergradeapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA80R1K4CE

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD80R1K4CE

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU80R1K4CE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPU80R1K4CE

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPX80R1K4CE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-19 10:13:00

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