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IPW60R190P6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPW60R190P6
廠商型號(hào)

IPW60R190P6

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件大小

2.63097 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-16 10:18:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPW60R190P6

  • 功能描述:

    MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 190 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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