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IPU04N03LAG	文件：418.45 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor PackageMarking ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
04N03	文件：1.6019 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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04N03LA	文件：302.31 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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04N03LBG	文件：1.60166 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
A04N03A	文件：1.00136 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
B04N03	文件：228.15 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)4.0mΩ ID75A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
CMD04N03	文件：1.6019 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
EMA04N03A	文件：236.61 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS25V RDSON(MAX.)4mΩ ID80A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB04N03A	文件：235.38 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB04N03H	文件：228.15 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)4.0mΩ ID75A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB04N03HR	文件：245.29 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)4.0mΩ ID75A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB04N03HS	文件：273.56 Kbytes Page：7 Pages	N‐ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB04N03V	文件：873.17 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)4.0mΩ ID32A N‐ChannelMOSFET UIS,Rg100%Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
IPB04N03L	文件：455.49 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB04N03LA	文件：348.25 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB04N03LA	文件：348.17 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPU04N03LAG
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IPU04N03LAG	INFINEON	24+	IPAK(TO-251)	8866		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IPU04N03LAG	INFINEON	23+	TO251-3	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IPU04N03LAG	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IPU04N03LAG	INFINE0N	23+	TO-251	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IPU04N03LAG	INFINEON	2023+	IPAK(TO-	80000	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IPU04N03LAG	INFINEON	24+		35200	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IPU04N03LAG	NXP/恩智浦	23+	TO220	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
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深圳市科雨電子有限公司	IPU04N03LAG	INFINEON	1503+	TO251-3	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
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