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IPS12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Package Marking ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
12N03	文件：1.82632 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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12N03L.	文件：960.51 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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EMB12N03VAT	文件：187.09 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID9A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
IPD12N03L	文件：152.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPD12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Package Marking ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IPS12N03LBG
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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