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IPS09N03LAG中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPS09N03LAG
廠商型號(hào)

IPS09N03LAG

功能描述

OptiMOS?2 Power-Transistor

文件大小

403.6 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 16:12:00

IPS09N03LAG規(guī)格書詳情

Features

? Ideal for high-frequency dc/dc converters

? Qualified according to JEDEC1) for target application

? N-channel, logic level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Superior thermal resistance

? 175 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPS09N03LAG

  • 功能描述:

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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