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IPP80N06S2-09

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):9.1mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP80N06S2-09

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB80N06S2-09

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S2-09

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S2-09

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPP80N06S2-09

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPP80N06S2-09

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP80N06S2-09

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPP80N06S2-09

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
24+
TO220
52000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
INFINEON/英飛凌
21+23+
TO220
52000
16年電子元件現(xiàn)貨供應(yīng)商 終端BOM表可配單提供樣品
 詢價
Infineon(英飛凌)
2023+
PG-TO220-3
4550
全新原裝正品
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220
8145
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
Infineon
17+
TO-220
6200
詢價
INFINEON
24+
PG-TO220-3
8866
詢價
INFINEON
23+
TO-220
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
infineon
1822+
TO-220
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!
 詢價
infineon
18+
TO-220
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
英飛凌
21+
TO220 (PG-TO220-3)
6000
絕對原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多IPP80N06S2-09供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 15:00:00

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