首頁(yè)>IPP60R380E6>詳情

IPP60R380E6_INF進(jìn)口原_MOSFET N-CH 650V 10.6A恒創(chuàng)達(dá)1部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IPP60R380E6

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INF進(jìn)口原

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6200

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    17+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-16 8:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IPP60R380E6品牌：INF進(jìn)口原

  • 芯片型號(hào)：

    IPP60R380E6

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    18 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1004.16 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IPP60R380E6

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 10.6A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖小姐/朱先生

  • 手機(jī)：

    15920072019

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82783616

  • 傳真：

    0755-82785936

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號(hào)世界貿(mào)易廣場(chǎng)C座1102室

相近型號(hào)