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IPB06CNE8NG

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI06CNE8NG

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP06CNE8N

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OptiMOS?2Power-Transistor

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英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPP06CNE8N G

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon
17+
TO-220
6200
詢價
INFINEON
24+
PG-TO220-3
8866
詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
INFINEON
23+
TO-220
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-220
30000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
 詢價
INFINEON
1503+
TO220-3
3000
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 詢價
Infineon
22+
NA
2118
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 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
Infineon Technologies
22+
TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
INFINEON/英飛凌
2022
TO-220
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
更多IPP06CNE8N G供應商 更新時間2025-1-7 16:00:00

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