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IPP026N10NF2S中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPP026N10NF2S
廠商型號

IPP026N10NF2S

功能描述

StrongIRFETTM2Power-Transistor

絲印標(biāo)識

026N10NS

封裝外殼

PG-TO220-3

文件大小

1.06267 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-4 19:09:00

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IPP026N10NF2S規(guī)格書詳情

Features

?Optimizedforawiderangeofapplications

?N-Channel,normallevel

?100avalanchetested

?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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