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IPP022N12NM6

Marking：022N12N6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB022N12NM6

MOSFETOptiMOSTM6Power-Transistor,120V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?

InfineonInfineon Technologies AG

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供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon
23+
PG-TO220-3
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TO-220
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2022+
TO-220
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INFINEON/英飛凌
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原裝現貨,當天可交貨,原型號開票
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更多IPP022N12NM6供應商 更新時間2025-3-3 18:45:00

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