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IPM-L614	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	Miniature Integrated Power Monitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊美國JDSU	JDSU
IRF614	文件：45.1 Kbytes Page：7 Pages	2.0A,250V,2.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Description ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistor.ItisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.ThispowerMOSFETisdesignedforapplicationssuch	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF614	文件：282.55 Kbytes Page：9 Pages	EaseofParalleling DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF614	文件：158.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF614	文件：296.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF614A	文件：200.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor ?DESCRITION ?Designedforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulse. ?FEATURES ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±30V ?SiliconGateforFastSwitchingSpeed ?Rugged ?LowDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF614B	文件：855.44 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRF614PBF	文件：924.75 Kbytes Page：7 Pages	hexfetpowermosfet HEXFETPowerMOSFET ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?SurfaceMount ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF614S	文件：176.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF614S	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF614SPBF	文件：1.72373 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET HEXFETPowerMOSFET ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF614SPBF	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF614STRRPBFA	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI614B	文件：649.21 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI614G	文件：173.14 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=2.0ohm,Id=2.1A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI614G	文件：1.51135 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI614G	文件：282.67 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI614GPBF	文件：292.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI614GPBF	文件：1.51135 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI614GPBF	文件：282.67 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IPM-L614
制造商：
JDSU
制造商全稱：
JDS Uniphase Corporation
功能描述：
Miniature Integrated Power Monitor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IPMO1038150N	NICHTEK	23+	SOP	4500	一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	IPMOA	RENESAS/瑞薩	2021+	LQFP	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
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更多IPM-L614供應(yīng)商更新時間2024-10-23 11:10:00

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