首頁 >IPI180N10N3>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IPI180N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI180N10N3G

Marking：180N10N；Package：PG-TO262-3；OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPD180N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IIPP180N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA180N10N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD180N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD180N10N3G

N-channel,normallevel

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD180N10N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP180N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP180N10N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPI180N10N3

  • 功能描述：

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
2016+
TO-262
5562
只做進口原裝現(xiàn)貨!或訂貨!假一賠十!
 詢價
INFINEON
22+23+
TO-262
7624
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
Infineon/英飛凌
22+
TO-262
32954
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
24+
TO-262
65200
一級代理/放心采購
 詢價
INFINEON/英飛凌
2447
TO-262
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
21+
TO-262
1709
詢價
INFINEON/英飛凌
25+
TO-262
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單!
 詢價
INFINEON/英飛凌
21+
TO-262
6000
全新原裝 公司現(xiàn)貨
 詢價
Infineon
22+
TO262-3
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-262
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
 詢價
更多IPI180N10N3供應(yīng)商 更新時間2025-3-6 17:36:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多