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IPI057N08N3

OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI057N08N3G

OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI057N08N3-G

OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI057N08N3G

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI057N08N3-G

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPA057N08N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IIPP057N08N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA057N08N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA057N08N3G

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplicatio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA057N08N3G

OptiMOS(TM)3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPI057N08N3

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 80V 80A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
TO262-3
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO262-3
8000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO262-3
8000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO262-3
7000
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO262-3
18746
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INFINEON
24+
I2PAK(TO-262)
8866
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INFINEON
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TO-262
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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INFINEON
22+23+
TO-262
14777
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
2023+
TO-262
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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35200
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更多IPI057N08N3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 14:30:00

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