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IPD60R600E6中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IPD60R600E6規(guī)格書詳情
? DESCRITION
? Fast switching
? FEATURES
? Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.6?
? Enhancement mode:
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IPD60R600E6
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 7.3A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INF |
22+23+ |
TO-252 |
28363 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022 |
TO-252 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
5000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
7188 |
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術(shù)支持 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
INFINEON |
1836+ |
TO252 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
NA |
19+ |
74371 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價 | |||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-252 |
16316 |
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價 |
