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IPD50P04P4-13中文資料百域芯數據手冊PDF規(guī)格書

IPD50P04P4-13
廠商型號

IPD50P04P4-13

功能描述

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

985.01 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企業(yè)簡稱

Bychip百域芯

中文名稱

深圳市百域芯科技有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-23 9:50:00

IPD50P04P4-13規(guī)格書詳情

Features

? VDS= -40V, ID= -40A

RDS(ON) < 12mΩ @ VGS = -10V

RDS(ON) < 15mΩ @ VGS = -4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

產品屬性

  • 型號:

    IPD50P04P4-13

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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