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IPC045N10N3

N-channel enhancement mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPA045N10N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA045N10N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA045N10N3G

MaterialContentDataSheet

InfineonInfineon Technologies AG

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IPA045N10N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor,100V

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?Halogen-freeaccor

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IPA045N10N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

VDS100V RDS(on),max4.5mW ID64A Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Ideal

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OptiMOS??Power-Transistor

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OptiMOS??Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

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IPI045N10N3-G

OptiMOS??Power-Transistor

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OptiMOS??Power-Transistor

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更多IPC045N10N3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 15:00:00