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IPB11N03LAG

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI11N03LA

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP11N03LA

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PHB11N03LT

N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible Applications:- ?d.c.tod.c.converters ?switche

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHB11N03LT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHD11N03LT

N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible Applications:- ?d.c.tod.c.converters ?switche

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHD11N03LT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHP11N03LT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPB11N03LA G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
24+
TO263-3
8866
詢價
INFINEON
2012+
TO-263
12000
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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24+
TO-263
90000
一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價格合理
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21+
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1000
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
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一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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INFINEON/英飛凌
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更多IPB11N03LA G供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 16:30:00

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