IPB108N15N3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	IPB108N15N3G
功能描述	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
文件大小	438.68 Kbytes
頁面數(shù)量	11 頁
生產(chǎn)廠商	Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱	Infineon【英飛凌】
中文名稱	英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2024-12-30 23:00:00

Features

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance R DS(on)

? 175 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free

? Qualified according to JEDEC1) for target application

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

型號：
IPB108N15N3G
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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