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IPA65R660CFD中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPA65R660CFD
廠商型號

IPA65R660CFD
功能描述

Isc N-Channel MOSFET Transistor
文件大小

269.89 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-4 11:30:00
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IPA65R660CFD規(guī)格書詳情

? FEATURES

? With TO-220F Package

? Drain Source Voltage-

: VDSS=650V(Min)

? Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.66Ω (Max)

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

? APPLICATIONS

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IPA65R660CFD

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    CoolMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
infineon
2022+
TO-220F
57550
詢價
INFINEON
24+
TO-220
10000
只做原裝 有掛有貨 假一賠十
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INFINEO
2020+
TO220F
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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Infineon(英飛凌)
23+
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12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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24+
TO-220F
9860
一級代理
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INFINEON/英飛凌
23+
TO-220
11220
英飛凌優(yōu)勢原裝IC,高效BOM配單。
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PG-TO220-3
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INFINEON/英飛凌
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TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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23+
TO-220F
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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