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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
INA122UA	文件：223.48 Kbytes Page：9 Pages	Single Supply, MicroPower INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122UA	文件：750.58 Kbytes Page：14 Pages	Single Supply, MicroPower INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122UA/2K5	文件：750.58 Kbytes Page：14 Pages	Single Supply, MicroPower INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122UA/2K5G4	文件：750.58 Kbytes Page：14 Pages	Single Supply, MicroPower INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA122UAG4	文件：750.58 Kbytes Page：14 Pages	Single Supply, MicroPower INSTRUMENTATION AMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
IPM-C122	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊	JDSU
IPM-L122	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊	JDSU
IRF122	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF122	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF122	文件：68.22 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.2A,80Vand100V,0.27and0.36Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF122	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF122	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF122	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF122	文件：48.36 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF122	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFD122	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFF122	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
ISCD122	文件：251.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISCI122P	文件：222.07 Kbytes Page：2 Pages	iscThyristors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISO122	文件：188.07 Kbytes Page：13 Pages	PrecisionLowestCostISOLATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
INA122UA
功能描述：
儀表放大器 Single Supply MicroPower
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
輸入補(bǔ)償電壓：
150 V
最大輸入電阻：
10 kOhms
共模抑制比（最小值）：
88 dB
工作電源電壓：
2.7 V to 36 V
電源電流：
200 uA
最大工作溫度：
+ 125 C
最小工作溫度：
- 40 C
封裝/箱體：
MSOP-8
封裝：
Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	INA122UA	TI	24+	SMD	323984	原廠很遠(yuǎn)現(xiàn)貨很近,只做正品	詢(xún)價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	INA122UA	TI	24+	標(biāo)準(zhǔn)	49702	熱賣(mài)原裝進(jìn)口	詢(xún)價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	INA122UA	TEXASINSTRUMENTS	24+	SOIC-8	6800	100%原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,歡迎來(lái)電咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)
深圳美順電子科技有限公司	INA122UA	TI	15+	SOP-8	6400	原廠直銷(xiāo)	詢(xún)價(jià)
中科國(guó)際電子(深圳)有限公司	INA122UA	TI/德州儀器	22+	SOP8	30000	原廠原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	INA122UA	TI/德州儀器	22+	SOP-8	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!	詢(xún)價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	INA122UA	BURR-BROWN	24+	SOP8	14	只做原廠渠道可追溯貨源	詢(xún)價(jià)
深圳市恒凱威科技開(kāi)發(fā)有限公司	INA122UA	TI/德州儀器	21+	SOP-8	20000	只做原裝,質(zhì)量保證	詢(xún)價(jià)
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司	INA122UA	TI	23+	SOIC-8	30000	全新原裝正品	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	INA122UA	TI(德州儀器)	23+	N/A	12000	一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢(xún)價(jià)

更多INA122UA供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 11:00:00

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