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IMZA120R040M1H中文資料英飛凌數據手冊PDF規(guī)格書

IMZA120R040M1H
廠商型號

IMZA120R040M1H

功能描述

CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

文件大小

1.34991 Mbytes

頁面數量

17

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-1 23:00:00

IMZA120R040M1H規(guī)格書詳情

Features

? VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C

? IDCC = 55 A at Tvj = 25°C

? RDS(on) = 39 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

? Very low switching losses

? Short circuit withstand time 3 μs

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V

? Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied

? Robust body diode for hard commutation

? .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

Potential applications

? General purpose drives (GPD)

? EV-Charging

? Online UPS/Industrial UP

? String inverters

? Solar power optimizer

Product validation

? Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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