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IMZ120R045M1中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IMZ120R045M1
廠商型號

IMZ120R045M1

功能描述

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

絲印標識

120M1045

封裝外殼

PG-TO247-4

文件大小

1.48644 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-16 17:55:00

IMZ120R045M1規(guī)格書詳情

Features

? Very low switching losses

? Threshold-free on state characteristic

? Wide gate-source voltage range

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V

? 0V turn-off gate voltage

? Fully controllable dv/dt

? Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification

? Easy to use/drive due to sense (driver) source pin for better control of the gate

? Temperature independent turn-off switching losses

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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