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IKY75N120CH3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKY75N120CH3
廠商型號

IKY75N120CH3

參數(shù)屬性

IKY75N120CH3 封裝/外殼為TO-247-4;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 150A TO247-4

功能描述

Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode
IGBT 1200V 150A TO247-4

絲印標(biāo)識

K75MCH3

封裝外殼

PG-TO247-4-2 / TO-247-4

文件大小

2.04734 Mbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-9 22:59:00

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IKY75N120CH3規(guī)格書詳情

IKY75N120CH3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKY75N120CH3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IKY75N120CH3XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,75A

  • 開關(guān)能量:

    3.4mJ(開),2.9mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    38ns/303ns

  • 測試條件:

    600V,75A,6 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-4

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-4

  • 描述:

    IGBT 1200V 150A TO247-4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-247-4
1076
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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Infineon/英飛凌
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PG-TO247-4-2
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原裝現(xiàn)貨正品
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Infineon(英飛凌)
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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Infineon(英飛凌)
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