首頁>IKW30N60H3FKSA1>詳情

IKW30N60H3 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IKW30N60H3參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IKW30N60H3品牌：INFINEON

一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品

IKW30N60H3是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的IKW30N60H3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IKW30N60H3

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    16 頁

  • 文件大?。?/span>

    2191.93 kb

  • 資料說明：

    IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IKW30N60H3FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    1.38mJ

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    21ns/207ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10.5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 187W TO247-3

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市維爾達電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    連先生

  • 手機：

    13544094624

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83465779

  • 傳真：

    0755-83465779

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)友誼路上步工業(yè)區(qū)403棟鈺裕大廈東座3層318

相近型號