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IKW25N120H3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW25N120H3
廠商型號(hào)

IKW25N120H3
參數(shù)屬性

IKW25N120H3 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
功能描述

1200V high speed switching series third generation
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
文件大小

2.14854 Mbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-30 23:00:00

IKW25N120H3規(guī)格書詳情

IKW25N120H3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW25N120H3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

High speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode

Features:

TRENCHSTOPTM technology offering

? very low VCEsat

? low EMI

? Very soft, fast recovery anti-parallel diode

? maximum junction temperature 175°C

? qualified according to JEDEC for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

? uninterruptible power supplies

? welding converters

? converters with high switching frequency

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IKW25N120H3FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，25A

  • 開關(guān)能量：

    2.65mJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    27ns/277ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，25A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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TO-247
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
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