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IKD15N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-Drive and RC-Drive Fast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RF	文件：1.94799 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RF_14	文件：1.94799 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RFA	文件：1.76425 Mbytes Page：16 Pages	Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKP15N60T	文件：402.83 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP?andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode Features: ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime5?s ?Designedfor: -FrequencyConverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKP15N60T	文件：516.549 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKP15N60T	文件：460.48 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKU15N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKU15N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFP15N60L	文件：171.5 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP15N60L	文件：898.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ??ExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-freeAvai	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFP15N60LPBF	文件：898.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ??ExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-freeAvai	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP15N60LPBF	文件：188.75 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
ISPP15N60CFD	文件：339.19 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.33? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISPW15N60CFD	文件：335.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXFH15N60	文件：337.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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更多IKD15N60RF供應(yīng)商更新時間2025-1-1 23:00:00

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