IKD10N60R分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IKD10N60R |
| 參數(shù)屬性 | IKD10N60R 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 20A 150W TO252-3 |
| 功能描述 | ??C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency |
| 文件大小 |
886.12 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-18 20:00:00 |
IKD10N60R規(guī)格書詳情
IKD10N60R屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKD10N60R晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IKD10N60R
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，10A
- 開關(guān)能量：
590μJ
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
14ns/192ns
- 測試條件：
400V，10A，23 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO252-3-11
- 描述：
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+23+ |
TO252 |
2112 |
16年電子元件現(xiàn)貨供應(yīng)商 終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO2523 |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
19850 |
原裝正品,假一賠十 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標準封裝 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu) |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 |
