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IJ11022S	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMC FILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
MJ11022	文件：235.08 Kbytes Page：6 Pages	30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors ...designedforuseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingandmotorcontrolapplications. ?HighdcCurrentGain@10Adc—hFE=400Min(AllTypes) ?Collector–EmitterSustainingVoltage VCEO(sus	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJ11022	文件：206.76 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,150-250V,175W) 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR150-250VOLTS175WATTS MJ11017,MJ11019,MJ11021=>PNP MJ11018,MJ11020,MJ11022=>NPN	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
MJ11022	文件：81.1 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=250V(Min.) ?HighDCCurrentGain- :hFE=400(Min.)@IC=10A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=5.0A APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifiers,lowfrequency sw	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJ11022	文件：78.9 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11022	文件：21.71 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS)	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
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MJ11022	文件：229.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistorsaredesigned foruseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingand motorcontrolapplications. Features ?HighdcCurrentGain@10Adc?hFE=400Min(AllTypes) ?Collector?EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)=250Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11022G	文件：229.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistorsaredesigned foruseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingand motorcontrolapplications. Features ?HighdcCurrentGain@10Adc?hFE=400Min(AllTypes) ?Collector?EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)=250Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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MJH11022	文件：86.19 Kbytes Page：6 Pages	15AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS150??50VOLTS,150WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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MJH11022	文件：313.62 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min.) ·HighDCCurrentGain :hFE=400(Min.)@IC=10A ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=5.0A ·ComplementtoTypeMJH11021 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandrelia	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJH11022	文件：193.81 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforuseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingandmotorcontrolapplications. Features ?HighDCCurrentGain@10Adc—hFE=400Min(AllTypes) ?Collector?EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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PS11022	文件：254.53 Kbytes Page：3 Pages	PatchLead-CAT5E PatchLead-CAT5E ElectricalTest 100openshortandmisswiretest	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1

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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IJ1215DA	XPPOWER	23+	SIPDIP	56688	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
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