IHW15N120E1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IHW15N120E1參考圖片

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):IHW15N120E1品牌:INFINEON/英飛凌

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

IHW15N120E1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-3的IHW15N120E1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    IHW15N120E1

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng):

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    14 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1903.84 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Reverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switching

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IHW15N120E1XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,15A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    300μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    蘇經(jīng)理

  • 手機(jī):

    17302670410

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-83383789

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17e