IGN1011L1200_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-Integra Technologies Inc.

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原廠料號:IGN1011L1200品牌:Integra Technologies Inc.

資料說明:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1011L1200是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商Integra Technologies Inc.生產(chǎn)封裝PL84A1的IGN1011L1200晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    ign1011l1200

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  • 資料說明:

    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IGN1011L1200

  • 制造商:

    Integra Technologies Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    1.03GHz ~ 1.09GHz

  • 增益:

    16.8dB

  • 功率 - 輸出:

    1250W

  • 封裝/外殼:

    PL84A1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PL84A1

  • 描述:

    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Integra Technologies Inc.
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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