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IGCM06B60GA

Control Integrated POwer System

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGCM06B60GA_15

Control Integrated POwer System

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGCM06B60GA_16

Control Integrated POwer System

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGCM06B60GAXKMA1

包裝：管件 封裝/外殼：24-PowerDIP 模塊（1.028"，26.10mm） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述：IGBT 600V 24MDIP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ECF06B60

FRED

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

ECF06B60-F

FRED

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

ECF06B60-F

FastRecoveryDiode

KSSKyocera Kinseki Corpotation

京瓷京瓷 AVX 零部件公司

ECU06B60

FRD-LowPowerLoss

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

ECU06B60-F

FastRecoveryDiode

KSSKyocera Kinseki Corpotation

京瓷京瓷 AVX 零部件公司

ECU06B60-F

FRED

NIEC

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FCF06B60

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FCU06B60

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NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

GCF06B60

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NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

IGCM06B60HA

ControlIntegratedPOwerSystem

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IGCM06B60GA

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 MINI DUAL-IN-LINE 6A/600V W/NTC INPUT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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