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IGB50N60T分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGB50N60T
廠商型號

IGB50N60T
參數(shù)屬性

IGB50N60T 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產品描述：IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
功能描述

Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology
IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
文件大小

648.1 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-10-26 22:59:00

IGB50N60T規(guī)格書詳情

IGB50N60T屬于分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產的IGB50N60T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

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  • 產品編號：

    IGB50N60TATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，50A

  • 開關能量：

    2.6mJ

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    26ns/299ns

  • 測試條件：

    400V，50A，7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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