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IDT71V016SA10Y

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V016SA10Y8

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V016SA10YI8

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V016SA10YGI

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V016SA10YGI8

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V016SA10BF

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA10BFG

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA10BFG

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10BFGI

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10BFGI

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT71V016SA10Y

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
2020+
SOJ44
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
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2021+
SOJ44
9450
原裝現(xiàn)貨。
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絕對原裝!公司現(xiàn)貨!
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原裝正品 可含稅交易
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全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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00/01+
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全新原裝100真實現(xiàn)貨供應(yīng)
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23+
44-SOJ
73390
專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價格優(yōu)勢!
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IDT
24+
SOJ-44
4650
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IDT
23+
SOJ
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
更多IDT71V016SA10Y供應(yīng)商 更新時間2025-1-31 8:21:00

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