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IDT7164S20YI

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT7164S20YI8

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

7164S20DB

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S20DGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S20TDB

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S20TDGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S20TPG

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S20TPGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S20TPGI

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S20YG

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT7164S20YI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    64Kb（8K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
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專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價格優(yōu)勢!
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原裝正品，支持實單
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IDT, Integrated Device Techno
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28-SOJ
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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IDT, Integrated Device Techno
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28-SOJ
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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更多IDT7164S20YI供應(yīng)商 更新時間2025-3-10 14:11:00

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