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IDT7164L20Y	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT7164L20Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：管件類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT7164L20YB	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT7164L20YI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：管件類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT7164L20YI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：管件類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
7164L20DB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
7164L20DGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM64K	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
7164L20TDB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
7164L20TDGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM64K	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
7164L20TPGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM64K	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IDT7164L20Y
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
管件
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量：
64Kb（8K x 8）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁：
20ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
28-SOJ
描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市昌和盛利電子有限公司	IDT7164L20Y	IDT	23+	28SOJ300MIL	9526		詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IDT7164L20Y	IDT	23+	28-SOJ	73390	專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
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