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IGCS-E131GP	文件：844.79 Kbytes Page：3 Pages	Industrial4-portPCIeunmanagedGigabitEthernetswitchcard	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
IGPCS-E131GP	文件：789.66 Kbytes Page：3 Pages	Industrial4-portPCIeunmanagedGigabitPoEEthernetswitchcard	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
INA131	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
INA131AP	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131AP	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
INA131BP	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131BP	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
IRF131	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF131	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF131	文件：198.96 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFF131	文件：161.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω	GESS GE Solid State	GESS
IRFP131	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFS131	文件：265.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
ICP131
功能描述：
線性和開關(guān)式電源 TRPL OUTPUT PWR SPLY
RoHS：
否
制造商：
TDK-Lambda
產(chǎn)品：
Switching Supplies
開放式框架/封閉式：
Enclosed
輸出功率額定值：
800 W
輸入電壓：
85 VAC to 265 VAC
輸出端數(shù)量：
1 輸出電壓（通道
1）：
20 V 輸出電流（通道
1）：
40 A
商用/醫(yī)用：
輸出電壓（通道
2）：
輸出電流（通道
安裝風(fēng)格：
Rack

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	ICP1543-1-110I	Microchip Technology	24+	模具	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
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深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	ICP2.5A250V	WALTER(華德)	21+	軸向引線,3.6x10mm	4000	中國(guó)航天工業(yè)部戰(zhàn)略合作伙伴行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	ICP-20100	TDK	22+	SMD	518000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
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