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LET9002	文件：40.74 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERTRANSISTORSLdmosEnhancedTechnologyinPlasticPackage DESCRIPTION TheLET9002isacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1000MHz.TheLET9002isdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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更多ICN9002D供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-29 8:30:00

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