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ICM7342M	文件：136.26 Kbytes Page：9 Pages	DUAL 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS	ICMICIC MICROSYSTEMS 集成電路微系統(tǒng)公司	ICMIC
ICM7342MG	文件：136.26 Kbytes Page：9 Pages	DUAL 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS	ICMICIC MICROSYSTEMS 集成電路微系統(tǒng)公司	ICMIC
IRF7342	文件：347.05 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelMOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=-55V RDS(ON)105m(VGS=-10V) Features RDS(ON)170m(VGS=-4.5V) TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharac	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRF7342	文件：334.84 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelMOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=-55V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRF7342	文件：136.93 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET VDSS=-55V RDS(on)=0.105? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPo	IRF International Rectifier	IRF
IRF7342PBF	文件：164.57 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7342PBF	文件：159.18 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=-55V,RDS(on)=0.105廓)	IRF International Rectifier	IRF
IRF7342PBF	文件：337.75 Kbytes Page：8 Pages	DualPChannelMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IRF7342QTRPBF	文件：2.04915 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF7342TR	文件：334.84 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelMOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=-55V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
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ISO7342CDW	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1

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