HYB18T1G800BF-3集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號	HYB18T1G800BF-3
參數(shù)屬性	HYB18T1G800BF-3 封裝/外殼為68-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA
功能描述	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA
封裝外殼	68-TFBGA
文件大小	4.0317 Mbytes
頁面數(shù)量	74 頁
生產廠商	Qimonda AG
企業(yè)簡稱	QIMONDA
中文名稱	Qimonda AG官網
原廠標識
數(shù)據手冊	原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-2-11 20:00:00

HYB18T1G800BF-3規(guī)格書詳情

HYB18T1G800BF-3屬于集成電路（IC）的存儲器。由Qimonda AG制造生產的HYB18T1G800BF-3存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產品屬性

產品編號：
HYB18T1G800BF-3S
制造商：
Qimonda
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
DRAM
技術：
SDRAM - DDR2
存儲容量：
1Gb（128M x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.9V
工作溫度：
0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
68-TFBGA
描述：
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA

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