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HY2213	文件：745.6 Kbytes Page：14 Pages	1 Cell Li-ion/Polymer Battery Charge Balance IC	HYCONHYCON inc 纮康科技纮康科技公司	HYCON
HY2213-AB3B	文件：745.6 Kbytes Page：14 Pages	1 Cell Li-ion/Polymer Battery Charge Balance IC	HYCONHYCON inc 纮康科技纮康科技公司	HYCON
HY2213-BB3A	文件：745.6 Kbytes Page：14 Pages	1 Cell Li-ion/Polymer Battery Charge Balance IC	HYCONHYCON inc 纮康科技纮康科技公司	HYCON
HY2213-CB3A	文件：745.6 Kbytes Page：14 Pages	1 Cell Li-ion/Polymer Battery Charge Balance IC	HYCONHYCON inc 纮康科技纮康科技公司	HYCON
IPP-2213	文件：66.96 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINECOUP	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
IR2213	文件：264.99 Kbytes Page：14 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	HighandLowSideDriver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
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IR2213PBF	文件：1.22362 Mbytes Page：18 Pages	HighandLowSideDriver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IR2213S	文件：1.22362 Mbytes Page：18 Pages	HighandLowSideDriver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IR2213SPBF	文件：439.23 Kbytes Page：15 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213SPBF	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	HighandLowSideDriver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
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K2213ALM	文件：3.51246 Mbytes Page：5 Pages	boxesandancillaryproducts	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類(lèi)制造商	ETC
KA2213	文件：153.38 Kbytes Page：8 Pages	1CHIPTAPERECORDERSYSTEM INTRODUCTION TheKA2213isamonolithicintegratedcircuitconsistingofapreamplifier,ALCcircuit,andpoweramplifierina14-pinplasticdual-in-linepackagewithheatsink.	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
KSR2213	文件：31.49 Kbytes Page：1 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=2.2K?,R2=47K?) ?ComplementtoKSR1213	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
KUWT-2213-B	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛(ài)模愛(ài)模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
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更多HY2213供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 16:12:00

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