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HWS540	文件：52.87 Kbytes Page：3 Pages	No external DC blocking capacitors required	HWHexawave, Inc 漢威光電股份有限公司	HW
IIRF540N	文件：338.1 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRF540Z	文件：338.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.0265? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableopera	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFR540Z	文件：335.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRL540N	文件：338.49 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Itisintendedforgeneralpurposeswitchingapplications ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤44m?(max) ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoper	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRL540N	文件：299.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IK-540A	文件：60.65 Kbytes Page：2 Pages	ToshibaIK-540ACamera Forhigh-resolutionimaginginchallenginglightingconditions,thereisonlyonechoice:TheToshibaIK-540A. Thisamazingcameradeliverstheabsolutebestimagingperformanceinlowlight.Howgood?ItisdocumentedtobeuptoTENTIMESaspowerfulinlowlightthanconventionalmonochromeca	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
IQXO-540	文件：210.09 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXO-540-AUTO	文件：179.55 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRC540	文件：222.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.077ohm,Id=28A) Continuousdraincurrent28A@Tc=25degC,Vgs=10V.Drain-to-sourcebreakdownvoltage100V.Drain-to-sourceon-resistance0.077Ohm	IRF International Rectifier	IRF
IRC540PBF	文件：1.12101 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.077廓,ID=28A) Continuousdraincurrent28A@Tc=25degC,Vgs=10V.Drain-to-sourcebreakdownvoltage100V.Drain-to-sourceon-resistance0.077OhmLead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF540	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF540	文件：86.08 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor VDSS=100V ID=23A RDS(ON)≤77m? GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance Applications:- ?d.c.t	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
IRF540	文件：53.62 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL100V-00.50ohm-30A-TO-220/TO-220FIPOWERMOSFET N-CHANNEL100V-00.50?-30A-TO-220/TO-220FIPOWERMOSFET ■TYPICALRDS(on)=0.050? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175oCOPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF540	文件：177.54 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. 1.Dynamicdv/dtRating 2.RepetitiveAvalancheRated 3.175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF
IRF540	文件：311.12 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL100V-0.055廓-22ATO-220LOWGATECHARGESTripFET??IIPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF540	文件：1.90441 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF540	文件：338.15 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET ID(A)28 VDSS(V)100 RDS(ON)(Ω)0.077@VGS=10V QG(nC)max.72 DESCRIPTION TheNellIRF540areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofop	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
IRF540	文件：103.6 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF540	文件：282.81 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市誠中源科技有限公司	HWS541	LUSON6L	21+	HEXAWAVE	9866		詢價
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更多HWS540供應(yīng)商更新時間2024-10-24 14:00:00

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