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IRFIRLML2502TRPBF	文件：319.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLM2502TRPBF	文件：1.09268 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRLML2502	文件：126.69 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseN-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2502	文件：3.05403 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET GeneralFEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET ●Leadfreeproductisacquired ●Surfacemountpackage APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverte	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司	TUOFENG
IRLML2502	文件：1.46526 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
IRLML2502	文件：731.27 Kbytes Page：26 Pages	iMOTION?ModularApplicationDesignKit Eval-M1-CM610N3isanevaluationboardformotordriveapplicationsbasedona3-phaseIPM.Combinedina kitwithoneoftheavailableMADKcontrolboardoptions,itdemonstratesInfineon'sIPMtechnologyformotor drives.ThekitdemonstratesInfineon’sIPMtechnologyformotordrives. Mainfeat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRLML2502	文件：784.65 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
IRLML2502	文件：559.87 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRLML2502GPBF	文件：180.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2502GTRPBF	文件：1.09248 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRLML2502PBF	文件：180.15 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET TheseN-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2502PBF	文件：204.27 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2502TR	文件：132.27 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseN-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2502TRPBF	文件：269.72 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
IRLML2502TRPBF	文件：1.09244 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
K2502Y	文件：382.45 Kbytes Page：12 Pages	SIDACsfeatureglass-passivatedjunctionstoensurearuggedanddependable	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
K2502Y	文件：431.95 Kbytes Page：12 Pages	Teccor?brandThyristorsStandardBidirectionalSIDACs Description TheSIDACisasiliconbilateralvoltagetriggeredswitch.UponapplicationofavoltageexceedingtheSIDACbreakovervoltagepoint,theSIDACswitchesonthroughanegativeresistanceregiontoalowon-statevoltage.Conductioncontinuesuntilthecurrentisinterruptedordropsbe	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
KB2502	文件：724.61 Kbytes Page：62 Pages	VIDEOAMPMERGEDOSDPROCESSOR VIDEOAMPMERGEDOSDPROCESSOR TheKB2502isaveryhighfrequencyvideoamplifier&widerangeOSDprocessor1chipsystemwithI2CBuscontrolusedinmonitors.Itcontains3matchedR/G/BvideoamplifierswithOSDprocessorandprovidesflexibleinterfacingtoI2CBuscontrolledadjustment	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
KBJ2502	文件：50.75 Kbytes Page：2 Pages	25ASINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIER [SEPELECTRONICCORP.] Features ●ThisseriesisULlistedundertheRecognizedComponentIndex,filenumberE142814 ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ●Highcasedielectricstrengthof1500VRMSIdealforprintedcircuitboards ●Highsurgecurren	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
KBJ2502	文件：102.85 Kbytes Page：2 Pages	IN-LINEGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGE50to1000VoltsCURRENT25Amperes FEATURES ?PlasticmaterialhasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Idealforprintedcircuitboard ?Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ?Surgeoverloadrating:400Amperes	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT

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更多HRW2502AL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-2 11:30:00

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