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MMD65R380QRH	文件：353.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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TPA65R380D	文件：710.35 Kbytes Page：11 Pages	650VSuper-junctionPowerMOSFET Description 650VSuper-junctionPowerMOSFET Super-junctionpowerMOSFETisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs，designedaccordingtotheSJprinciple.ThedeeptrenchSJMOSFETprovideanextremelylowswitching,communicationandconductionlossesdevicewithhighestrobustness	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司	WUMC

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