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HN1D02F

DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS)

Ultra-High-SpeedSwitchingApplications ●TheHN1D02Fiscomposedoftwo(2)cathodecommonunits. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.90V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

HN1D02F

Ultra-High-SpeedSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

HN1D02FE

SiliconEpitaxialPlanarTypeUltraHighSpeedSwitchingApplication

UltraHighSpeedSwitchingApplication ●TheHN1D02FUiscomposedof2commoncathodeunits. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.90V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

HN1D02FU

SiliconEpitaxialPlanarTypeUltraHighSpeedSwitchingApplication

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

HN1D02FU

DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA
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SOT-163
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更多HN1D02FULF供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 9:33:00

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