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HMMC-2006	文件：89.21 Kbytes Page：6 Pages	DC-6 GHz Unterminated SPDT Switch Description TheHMMC-2006isaGaAsmonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC)designedforlowinsertionlossandhighisolationfromDCto6GHz.Itisintendedforuseasageneral-purpose,singlepole,double-throw(SPDT)switch. Features ?FrequencyRange:DC-6GHz ?InsertionLoss:	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
HO-NP-2006	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團	LEM
HO-P-2006	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團	LEM
HPMX-2006	文件：91.81 Kbytes Page：8 Pages	0.8-2.5GHzUpconverter/Amplifier Description TheHPMX-2006upconverter/amplifierICisdesignedtomeettheneedsofcellularandPCStelephoneandwirelessLANapplications. Features ?WideBandOperationRFOutput:800-2500MHzIFInput:DC-900MHz ?2.7-5.5VOperation ?Mixer+Amplifier:38mAMixeronly:15mAStandby	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
HPMX-2006-BLK	文件：91.81 Kbytes Page：8 Pages	0.8-2.5GHzUpconverter/Amplifier Description TheHPMX-2006upconverter/amplifierICisdesignedtomeettheneedsofcellularandPCStelephoneandwirelessLANapplications. Features ?WideBandOperationRFOutput:800-2500MHzIFInput:DC-900MHz ?2.7-5.5VOperation ?Mixer+Amplifier:38mAMixeronly:15mAStandby	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
I2006RU	文件：287.51 Kbytes Page：2 Pages	I2000RUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
IPP-2006	文件：75.66 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINECOUP	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
IPT2006-BEA	文件：209.9 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology	IPS IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.	IPS
IPT2006-BEB	文件：209.7 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology	IPS IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.	IPS
IPT2006-CEA	文件：209.9 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology	IPS IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.	IPS
IPT2006-CEB	文件：209.7 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology	IPS IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.	IPS
IPT2006-DEA	文件：209.9 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology	IPS IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.	IPS
IPT2006-DEB	文件：209.7 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology	IPS IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.	IPS
KBJ2006	文件：117.57 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
KBJ2006	文件：41.08 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBJ2006	文件：485.1 Kbytes Page：3 Pages	20AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERReverse	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風微電子廣東佑風微電子有限公司	YFWDIODE
KBP2006G	文件：959.75 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBIRIDGERECTIFIERS FEATURES ?ULRecognizedFile#E469616 ?Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ?Idealforprintedcircuitboard ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowreverseleakagecurrent ?Highsurgecurrentcapability	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 廣東鉅興電子廣東鉅興電子科技有限公司	JUXING
KBU2006G	文件：410.61 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBU2006G	文件：145.13 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATED3PHASEBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KSR2006	文件：65.61 Kbytes Page：2 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=10K?,R2=47K?) ?ComplementtoKSR1006	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung

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