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HMC-ALH435RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

HMC-ALH435
廠商型號

HMC-ALH435

參數(shù)屬性

HMC-ALH435 封裝/外殼為模具;包裝為卷帶(TR);類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE

功能描述

GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 5 - 20 GHz

封裝外殼

模具

文件大小

209.98 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Hittite Microwave Corporation
企業(yè)簡稱

Hittite

中文名稱

Hittite Microwave Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-22 23:00:00

HMC-ALH435規(guī)格書詳情

General Description

The HMC-ALH435 is a GaAs MMIC HEMT Low Noise Wideband Amplifi er die which operates between 5 and 20 GHz. The amplifi er provides 13 dB of gain, 2.2 dB noise fi gure at 12 GHz and +16 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 30 mA from a +5V supply voltage. The HMC-ALH435 amplifi er is ideal for integration into Multi-ChipModules (MCMs) due to its small size.

Features

Noise Figure: 2.2 dB @ 12 GHz

Gain: 13 dB @ 14 GHz

P1dB Output Power: +16 dBm @ 12 GHz

Supply Voltage: +5V @ 30 mA

Die Size: 1.48 x 0.9 x 0.1 mm

Typical Applications

This HMC-ALH435 is ideal for:

? Wideband Communication Systems

? Surveillance Systems

? Point-to-Point Radios

? Point-to-Multi-Point Radios

? Military & Space

? Test Instrumentation

? VSAT

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HMC-ALH435

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 頻率:

    5GHz ~ 20GHz

  • P1dB:

    16dBm

  • 增益:

    13dB

  • 噪聲系數(shù):

    2.2dB

  • 射頻類型:

    VSAT

  • 電壓 - 供電:

    5V

  • 電流 - 供電:

    30mA

  • 測試頻率:

    5GHz ~ 20GHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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