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HM62V8512C中文資料日立數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HM62V8512C
廠商型號

HM62V8512C
功能描述

4 M SRAM (512-kword x 8-bit)
文件大小

75.88 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Hitachi Semiconductor
企業(yè)簡稱

HITACHI【日立】

中文名稱

日立公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-18 22:59:00
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HM62V8512C規(guī)格書詳情

Description

The Hitachi HM62V8512C is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing CMOS process technology (6-transistor memory cell). The device, packaged in a 525-mil SOP (foot print pitch width) or 400-mil TSOP TYPE II is available for high density mounting. The HM62V8512C is suitable for battery backup system.

Features

? Single 3.0 V supply: 2.7 V to 3.6 V

? Access time: 55/70 ns (max)

? Power dissipation

?- Active: 6.0 mW/MHz (typ)

?- Standby: 2.4 μW (typ)

? Completely static memory. No clock or timing strobe required

? Equal access and cycle times

? Common data input and output: Three state output

? Directly LV-TTL compatible: All inputs

? Battery backup operation

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
HITACHI
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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